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2SB885 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB885 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistor 2SB885 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-50mA, RBE=∞ -100 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-5mA, IE=0 -110 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-2.5A ,IB=-5mA -1.5 V VBE sat Base-emitter saturation voltage IC=-2.5A ,IB=-5mA -2.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-80V, IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -3.0 mA hFE DC current gain IC=-2.5A ; VCE=-3V 1500 fT Transition frequency VCE=-5V, IC=-2.5A 20 MHz Switching times ton Turn-on time 0.7 μs tstg Storage time 1.3 μs tf Turn-off time IC=-2A ; VCC=-50V IB1=-IB2=-4mA;RL=25Ω 1.5 μs |
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