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2SB1005 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SB1005 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors 2SB1005 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-30mA, IB=0 -50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA, IE=0 -50 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1.5A ,IB=-30mA -2.5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-4A ,IB=-40mA -4.0 V ICBO Collector cut-off current VCB=-50V, IE=0 -0.1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -2.0 mA hFE-1 DC current gain IC=-1.5A ; VCE=-3V 750 hFE-2 DC current gain IC=-4A ; VCE=-3V 100 VF Diode forward voltage IF=-4A 3.5 V |
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