2SB1294 datasheet(2/2 Pages) ISC

部品番号	2SB1294

部品情報	isc Silicon PNP Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB1294

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= -1mA; IB= 0

-100

V(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

IC= -50μA; IE= 0

-100

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

IE= -50μA; IC= 0

-5

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= -3A; IB= -0.3A

-1.0

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= -3A; IB= -0.3A

-1.5

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= -100V; IE= 0

-10

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= -4V; IC= 0

-10

μA

hFE

DC Current Gain

IC= -1A; VCE= -5V

320

COB

Output Capacitance

IE=0; VCB= -10V; f= 1MHz

120

Current-Gain—Bandwidth Product

IE= 0.5A; VCE= -5V

MHz

hFE Classifications

60-120

100-200

160-320

isc Website：www.iscsemi.cn

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