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C1969 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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C1969 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC1969 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 1mA, IE= 0 60 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA; RBE= ∞ 25 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 5mA, IC= 0 5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 30V; IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 4V; IC= 0 0.1 mA hFE DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 12V 10 180 PO Output Power 16 18 W ηC Collector Efficiency VCC= 12V; Pin= 1W; f= 27MHz 60 70 % hFE Classifications X A B C D 10-25 20-45 35-70 55-110 90-180 isc Website:www.iscsemi.cn |
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