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2SC2899 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC2899 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC2899 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A; RBE=∞,L=100mH 400 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=10mA; IC=0 10 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=250mA; IB=50m A 1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=250mA ;IB=50m A 1.5 V hFE-1 DC current gain IC=250mA ; VCE=5V 15 hFE-2 DC current gain IC=500mA ; VCE=5V 7 ICBO Collector cut-off current VCB=400V; IE=0 20 μA ICEO Collector cut-off current VCE=350V; RBE=∞ 50 μA Switching times ton Turn-on time 1.0 μs tstg Storage time 2.0 μs tf Fall time IC=0.5A; IB1=-IB2=0.1A VCC≈150V 1.0 μs |
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