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2SC3346 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC3346 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors 2SC3346 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=50mA ; IB=0 80 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=6A; IB=0.3A 0.2 0.4 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=6A; IB=0.3A 0.9 1.2 V ICBO Collector cut-off current VCB=80V ;IE=0 10 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=6V; IC=0 10 μA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=1V 70 240 hFE-2 DC current gain IC=6A ; VCE=1V 40 fT Transition frequency IC=1A ; VCE=5V 80 MHz COB Output capacitance IE=0 ; VCB=10V,f=1MHz 220 pF Switching times Ton Turn-on time 0.2 μs tstg Storage time 1.0 μs tf Fall time IB1=-IB2=0.3A; RL=5Ω,VCC=30V Pw=20μs ;Duty≤1% 0.2 μs hFE-1 classifications O Y 70-140 120-240 |
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