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2SC3353 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC3353 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3353 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 0.2A; L= 25mH 500 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.6A B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.6A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 800V; IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 0.1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A; VCE= 5V 15 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A; VCE= 5V 8 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 3 MHz Switching Times; Resistive Load ton Turn-on Time 1.0 μs ts Storage Time 3.0 μs tf Fall Time IC= 3A; IB1= -IB2= 0.6A; VCC= 200V 1.0 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
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