2SC3459 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SC3459

部品情報	isc Silicon NPN Power Transistor

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

Logo

1 / 2 page

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SC3459

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V(BR)CBO= 1100V(Min)

·Fast Switching Speed

·Wide Area of Safe Operation

APPLICATIONS

·Designed for switching regulator Applications

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

1100

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

800

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current-Continuous

4.5

A

ICM

Collector Current-Peak

15

A

IB

B

Base Current-Continuous

2

A

PC

Collector Power Dissipation

@ TC=25℃

90

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-55~150

℃

isc Website：www.iscsemi.cn

同様の部品番号 - 2SC3459

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Sanyo Semicon Device	2SC3459	92Kb / 3P	For Switching Regulators

More results

同様の説明 - 2SC3459

メーカー	部品番号	データシート	部品情報
Inchange Semiconductor ...	BD907	106Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU2727AF	98Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU326	57Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU326A	129Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	MJ413	71Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUX47A	76Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUV48CFI	111Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BUV70	102Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
	BU406	134Kb / 3P	isc Silicon NPN Power Transistor