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2SC3475 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC3475 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3475 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 50mA; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 0.6 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7V; IC= 0 100 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 4V 60 200 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 4V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 4V 20 MHz COB Output Capacitance IE= 0; VCB= 10V; ftest= 1.0MHz 70 pF Switching times ton Turn-on Time 0.5 μs tstg Storage Time 2.5 μs tf Fall Time IB1= -IB2= 0.2A; RL= 15Ω; VCC= 30V 0.5 μs hFE-1 classifications O Y 60-120 100-200 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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