| データシートサーチシステム |
|
2SC3565 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3565 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3565 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 10μA ; IE= 0 300 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 1mA ; RBE= ∞ 300 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Vltage IE= 10μA ; IC= 0 7 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 20mA; IB= 2mA 1.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 250V; RBE= ∞ 1 μA hFE DC Current Gain IC= 10mA; VCE= 10V 30 200 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 10mA; VCE= 20V 80 MHz isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |