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2SC3566 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 2SC3566
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

2SC3566 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
2SC3566
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNIT
VCEO(SUS)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC= 3.0A ; IB= 0.3A, L=1mH
60
V
VCEX(SUS)-1
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC= 3.0A ; IB1=-IB2= 0.3A,
VBE(OFF)=5.0V, L=180μH,clamped
80
V
VCEX(SUS)-2
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC= 6.0A ; IB1= 0.6A; IB2= -0.3A,
VBE(OFF)= -5.0V, L= 180μH,clamped
60
V
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 3.0A; IB= 0.3A
0.6
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 3.0A; IB= 0.3A
1.5
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB= 60V; IE= 0
10
μA
ICER
Collector Cutoff Current
VCE= 60V; RBE= 51Ω, Ta=125℃
1.0
mA
ICEX
Collector Cutoff Current
VCE= 60V; VBE(off)= -1.5V
VCE= 60V; VBE(off)= -1.5V, Ta=125℃
10
1.0
μA
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 5V; IC=0
10
μA
hFE-1
DC Current Gain
IC= 0.3A; VCE= 5V
40
hFE-2
DC Current Gain
IC= 3.0A; VCE= 5V
40
200
Switching times
ton
Turn-on Time
0.5
μs
tstg
Storage Time
3.0
μs
tf
Fall Time
IC= 3.0A ,RL= 17Ω,
IB1= -IB2= 0.3A,VCC≈ 50V
0.5
μs
hFE-2 Classifications
M
L
K
40-80
60-120
100-200
isc Website：www.iscsemi.cn
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