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2SC4008 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SC4008 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4008 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 50μA; IE= 0 100 V V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA; IB= 0 80 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 50μA; IC= 0 6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 1.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 1.5 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 10 μA hFE DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 4V 100 500 fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= -0.2A ; VCE= 12V 10 MHz COB Output Capacitance IE=0 ; VCB= 10V; ftest= 1MHz 60 pF hFE classifications E F G 100-200 160-320 250-500 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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