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2SD389 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD389 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD389 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 0.2A; L= 25mH 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.4A B 1.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 1A; VCE= 3V 1.4 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 20V; IE= 0 30 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 8V; IC= 0 1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 0.1A; VCE= 3V 40 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 3V 30 160 hFE-2 Classifications Q P O 30-60 50-100 80-160 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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