2SD684 datasheet(2/2 Pages) ISC

部品番号	2SD684

部品情報	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

2SD684

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 0.5A; L= 40mH

300

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 4A; IB= 40mA

2.0

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 4A; IB= 40mA

2.5

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 600V; IE= 0

500

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

500

μA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 2A; VCE= 2V

1500

hFE-2

DC Current Gain

IC= 4A; VCE= 2V

200

COB

Collector Output Capacitance

VCB= 50V, IE= 0; ftest= 1MHz

Switching Times

ton

Turn-On Time

1.0

μs

Storage Time

8.0

μs

Fall Time

IC= 4A; IB1= -IB2= 40mA;

RL= 25Ω,VCC =100V

5.0

μs

isc Website：www.iscsemi.cn

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