| データシートサーチシステム |
|
2SD1476 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1476 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1476 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB= 0.2A B 1.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 1A; VCE= 4V 1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 80V; IE= 0 100 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 6V; IC= 0 100 μA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 4V 40 320 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A; VCE= 4V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.2A; VCE= 12V 50 MHz Switching times ton Turn-on Time 0.35 μs tstg Storage Time 1.0 μs tf Fall Time IC= 4A; IB1= -IB2= 0.4A 0.3 μs hFE-1 classifications R Q P O 40-90 70-150 120-250 160-320 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |