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2SD1605 データシート(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2SD1605 データシート(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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1 / 2 page  INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1605 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min) ·High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= 1.5A ·Complement to Type 2SB1105 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifiers applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 120 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current-Continuous 3 A ICP Collector Current-Peak 6 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 30 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ isc Website：www.iscsemi.cn |
同様の部品番号 - 2SD1605 |
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同様の説明 - 2SD1605 |
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