2SD2065 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	2SD2065

部品情報	isc Silicon NPN Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD2065

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 140V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1372

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

140

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

140

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

5

V

IC

Collector Current-Continuous

7

A

ICP

Collector Current-Pulse

12

A

Collector Power Dissipation

@ TC=25℃

80

PC

Collector Power Dissipation

@ Ta=25℃

3

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-55~150

℃

isc Website：www.iscsemi.cn

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