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BD240 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BD240 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon PNP Power Transistors BD240/A/B/C CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT BD240 -45 BD240A -60 BD240B -80 VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage BD240C IC=-30mA; IB=0 -100 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1 A;IB=-0.2 A -0.7 V VBE Base-emitter on voltage IC=-1A ; VCE=-4V -1.3 V BD240/A VCE=-30V; IB=0 ICEO Collector cut-off current BD240B/C VCE=-60V; IB=0 -0.3 mA BD240 VCE=-45V; VBE=0 BD240A VCE=-60V; VBE=0 BD240B VCE=-80V; VBE=0 ICES Collector cut-off current BD240C VCE=-100V; VBE=0 -0.2 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -1 mA hFE-1 DC current gain IC=-0.2A ; VCE=-4V 40 hFE-2 DC current gain IC=-1A ; VCE=-4V 15 |
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