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BD637 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BD637 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BD637 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0 80 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 100 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 1A; IB= 0.1A B 0.6 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 1A; VCE= 2V 1.3 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 100V; VBE= 0 0.2 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 25mA; VCE= 2V 40 hFE-2 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 2V 25 isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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