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BDV67A データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 BDV67A
部品情報  Silicon NPN Power Transistors
PDF  3 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

BDV67A データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
Inchange Semiconductor
Product Specification
2
Silicon NPN Power Transistors
BDV67/67A/67B/67C/67D
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
BDV67
60
BDV67A
80
BDV67B
100
BDV67C
120
V(BR)CEO
Collector-emitter
breakdown voltage
BDV67D
IC=30mA, IB=0
150
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=10A ,IB=40mA
2.0
V
VBE
Base-emitter on voltage
IC=10A ; VCE=3V
2.5
V
ICBO
Collector cut-off current
VCB=VCBOmax, IE=0
VCB=1/2VCBOmax; Tj=150℃
1.0
4.0
mA
ICEO
Collector cut-off current
VCE=1/2VCEOmax, IB=0
1
mA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
5
mA
hFE-1
DC current gain
IC=1A ; VCE=3V
3000
hFE-2
DC current gain
IC=10A ; VCE=3V
1000
hFE-3
DC current gain
IC=16A ; VCE=3V
1000
CC
Collector capacitance
IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz
300
pF
VF
Diode forward voltage
IE=10A
3.0
V
ton
Turn-on time
1.0
μs
toff
Turn-off time
IC = 10 A, IB1 =-IB2=40 mA
VCC = 12V
3.5
μs
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX
UNIT
Rth j-mb
Thermal resistance junction to mounting base
0.625
K/W



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