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BDX65A データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BDX65A データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page  Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BDX65A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-emitter sustaining voltage IC=0.1A ; IB=0;L=25mH 80 V VCE(sat) Collector-emitter saturation voltage IC=5A ;IB=20mA 2 V VBE Base-emitter on voltage IC=5A;VCE=3V 3 V ICBO Collector cut-off current VCB=60V; IE=0 TC=150℃ 0.4 3 mA ICEO Collector cut-off current VCE=40V; IB=0 1 mA IEBO Emitter cut-off current VEB=5V; IC=0 5 mA VF Diode forward voltage IF=3A 1.8 V hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=3V 1500 hFE-2 DC current gain IC=5A ; VCE=3V 1000 hFE-3 DC current gain IC=10A ; VCE=3V 1500 fT Transition frequency IC=5A ; VCE=3V 7 MHz |
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