BDY80 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	BDY80

部品情報	isc Silicon NPN Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BDY80

DESCRIPTION

·Continuous Collector Current-IC= 4A

·Collector Power Dissipation-

: PC= 36W @TC= 25℃

·Complement to Type BDY82

APPLICATIONS

·Designed for general purpose switching and amplifier

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

40

V

VCEX

Collector-Emitter Voltage VBE= -1.5V

40

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

35

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

10

V

IC

Collector Current-Continuous

4

A

IB

B

Base Current-Continuous

2

A

PC

Collector Power Dissipation@TC=25℃

36

W

TJ

Junction Temperature

150

℃

Tstg

Storage Temperature

-55~175

℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

3.5

℃/W

isc Website：www.iscsemi.cn

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