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BU4522AF データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BU4522AF データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BU4522AF ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 100mA; IB= 0, L= 25mH 800 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 7.5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 7A; IB= 1.75A B 3.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 7A; IB= 1.75A B 1.03 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 1500V; VBE= 0 VCE= 1500V; VBE= 0; TC=125℃ 1.0 2.0 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 7.5V; IC= 0 1.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 10 hFE-2 DC Current Gain IC= 7A; VCE= 5V 4.2 7.3 Switching times (16kHz line deflection circuit) tstg Storage Time 4.3 μs tf Fall Time IC= 7A, IB1= 1.4A; IB2= -3.5A; f= 16kHz 0.4 μs isc Website:www.iscsemi.cn 2 |
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