| データシートサーチシステム |
|
BUT54 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BUT54 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT54 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 0.1A; IB= 0, L= 125mH 430 V V(BR)CER Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 0.5mA; IB= 0, R B BE≤100Ω 800 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 1mA; IC= 0 6 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.8A B 5.0 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.8A B 2.0 V ICES Collector Cutoff Current VCE= 800V; VBE= 0 VCE= 800V; VBE= 0; TC=150℃ 1.0 2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 5V 20 45 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 5V 5.5 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= 0.5A; VCE= 10V 10 MHz Switching Times ;Resistive Load toff Turn-off Time 4.0 μs tf Fall Time IC=4A; IB1=-IB2=1.25A; tp=20μs 1.0 μs isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |