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BUT56 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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BUT56 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification 2 Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT BUT56 400 V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage BUT56A IC=100mA ;LC=125mH 450 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=1mA ;IC=0 6 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.8A 5.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=4A ;IB=0.8A 2.0 V BUT56 VCE=800V; VBE=0 Tj=150℃ 1.0 2.0 ICES Collector cut-off current BUT56A VCE=1000V; VBE=0 Tj=150℃ 1.0 2.0 mA hFE-1 DC current gain IC=1A ; VCE=5V 15 45 BUT56 IC=4A ; VCE=5V 5.5 hFE-2 DC current gain BUT56A IC=3A ; VCE=2V 4 fT Transition frequency IC=0.5A ;VCE=10V;f=1.0MHz 10 MHz Switching times toff Turn-off time 4 μs tf Fall time IC=4A ;IB1=-IB2=1.25A tp=20μs 1 μs |
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