BUV10 datasheet(1/2 Pages) ISC

部品番号	BUV10

部品情報	isc Silicon NPN Power Transistor

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メーカー	ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]

ホームページ	http://www.iscsemi.cn

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INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BUV10

DESCRIPTION

·High Switching Speed

·High Current Capability

APPLICATIONS

·Designed for high current,high speed,high power applications.

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

160

V

VCEX

Collector-Emitter Voltage

VBE= -1.5V

160

V

VCER

Collector-Emitter Voltage

RBE= 100Ω

140

V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

125

V

VEBO

Emitter-Base Voltage

7

V

IC

Collector Current-Continuous

25

A

ICM

Collector Current-Peak

30

A

IB

B

Base Current-Continuous

6

A

PC

Collector Power Dissipation

@TC=25℃

150

W

Tj

Junction Temperature

200

℃

Tstg

Storage Temperature Range

-65~200

℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Rth j-c

Thermal Resistance,Junction to Case

1.0

℃/W

isc Website：www.iscsemi.cn

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