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MJH16006 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

部品番号 MJH16006
部品情報  isc Silicon NPN Power Transistor
PDF  2 Pages
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メーカー  ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
ホームページ  http://www.iscsemi.cn
Logo ISC - Inchange Semiconductor Company Limited

MJH16006 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited

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background image
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon NPN Power Transistor
MJH16006
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
VCEO(SUS)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
IC=100mA ; IB=0
450
V
VCE(sat)-1
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 3A; IB= 0.4A
B
2.5
V
VCE(sat)-2
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 0.66A
B
IC= 5A; IB= 0.66A,T
B
C=100℃
3.0
3.0
V
VBE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 5A; IB= 0.66A
B
IC= 5A; IB= 0.66A,T
B
C=100℃
1.5
1.5
V
ICEV
Collector Cutoff Current
VCEV=850V;VBE(off)=1.5V
VCEV=850V;VBE(off)=1.5V;TC=100℃
0.25
1.5
mA
ICER
Collector Cutoff Current
VCE= 850V; RBE= 50Ω,TC= 100℃
2.5
mA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB= 6V; IC=0
1.0
mA
hFE
DC Current Gain
IC= 8A ; VCE= 5V
5
COB
Output Capacitance
IE= 0; VCB= 10V; ftest=1.0kHz
350
pF
Switching times;Resistive Load
td
Delay Time
20
50
ns
tr
Rise Time
85
250
ns
ts
Storage Time
1000
2500
ns
tf
Fall Time
IC= 5A , VCC= 250V; RB2= 4Ω;
IB1= 0.66A; IB2= -1.3A;PW= 30μs;
Duty Cycle≤2.0%
70
250
ns
isc Website：www.iscsemi.cn
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