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UT3409G-AE2-R データシート(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies

部品番号 UT3409G-AE2-R
部品情報  P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
PDF  4 Pages
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メーカー  UTC [Unisonic Technologies]
ホームページ  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies

UT3409G-AE2-R データシート(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies

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UT3409
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
3 of 4
www.unisonic.com.tw
QW-R502-244.D
TYPICAL CHARACTERISTICS
0
0
50
Drain Current vs. Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage, VTH (mV)
250
100
150
200
300
Drain Current vs.
Drain-Source Breakdown Voltage
0
0
50
Drain-Source Breakdown Voltage, BVDSS(V)
30
250
10
100
150
200
300
20
40
500
1000
2000
1500



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