UT4422G-S08-R datasheet(4/6 Pages) UTC

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UT4422G-S08-R データシート(PDF) 4 Page - Unisonic Technologies

部品番号	UT4422G-S08-R

部品情報	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

PDF	6 Pages

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メーカー	UTC [Unisonic Technologies]

ホームページ	http://www.utc-ic.com

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UT4422G-S08-R データシート(HTML) 4 Page - Unisonic Technologies

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UT4422

Power MOSFET

UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD

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www.unisonic.com.tw

QW-R502-206.B

TYPICAL CHARACTERISTICS

Body-Diode Characteristics

Gate to Source Voltage,VGS (V)

On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Body Diode Forward Voltage,VSD (V)

810

125°С

25°С

ID=10A

125°С

25°С

Pulse width ≤80μs,

duty cycle ≤0.5%.

Pulse width ≤80μs,

duty cycle ≤0.5%.

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