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UTD413G-TN3-R データシート(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
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UTD413G-TN3-R データシート(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
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3 / 4 page ![]() UTD413 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 4 www.unisonic.com.tw QW-R502-246.C TYPICAL CHARACTERISTICS 0 50 Drain Current vs. Gate Threshold Voltage Gate Threshold Voltage, VTH (V) 250 100 150 200 300 Drain Current vs. Drain-Source Breakdown Voltage Drain-Source Breakdown Voltage, BVDSS(V) 0.5 0 2.0 1.0 1.5 0 0 50 30 250 10 100 150 200 300 20 50 40 350 400 2.5 450 12 0 0 4 8 10 Drain-Source On-State Resistance Characteristics Drain to Source Voltage, VDS (mV) 2 6 200 600 ID=-8A VGS=-4.5V 14 400 ID=-12A VGS=-10V 1.2 0 0 0.4 0.8 1.0 Drain-Source On-State Resistance Characteristics Drain to Source Voltage, VDS (mV) 0.2 0.6 50 ID=-1A VGS=-4.5V 1.4 ID=-1A VGS=-10V |
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