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ACE632 データシート(PDF) 3 Page - ACE Technology Co., LTD.

部品番号 ACE632
部品情報  The ACE632 is the N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology.
PDF  11 Pages
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メーカー  ACE [ACE Technology Co., LTD.]
ホームページ  http://www.ace-ele.com
Logo ACE - ACE Technology Co., LTD.

ACE632 データシート(HTML) 3 Page - ACE Technology Co., LTD.

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background image
ACE632
N&P Pair Enhancement Mode MOSFET
VER 1.3
3
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown
Voltage
V(BR)DSS
VGS=0V, ID=250uA
N-Ch
20
V
VGS=0V, ID=250uA
P-Ch
-20
Drain-Source On Resistance
RDS(ON)
VGS=4.5V, ID=0.95A
N-Ch
0.26
0.38
Ω
VGS=-4.5V, ID=-1.0A
P-Ch
0.42
0.52
VGS=2.5V, ID=0.75A
N-Ch
0.32
0.45
VGS=-2.5V, ID=-0.8A
P-Ch
0.58
0.70
VGS=1.8V, ID=0.65A
N-Ch
0.42
0.80
VGS=-1.8V, ID=-0.5A
P-Ch
0.75
0.95
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
VDS=VGS, ID=250uA
N-Ch
0.35
1.0
V
VDS=VGS, ID=-250uA
P-Ch
-0.35
-1.0
Gate Leakage Current
IGSS
VDS=0V, VGS=±12V
N-Ch
100
nA
VDS=0V, VGS=±12V
P-Ch
-100
Zero Gate Voltage Drain
Current
IDSS
VDS=20V, VGS=0V
N-Ch
1
uA
VDS=-20V, VGS=0V
P-Ch
-1
VDS=20V, VGS=0V
TJ=55℃
N-Ch
5
VDS=-20V, VGS=0V
TJ=55℃
P-Ch
-5
On-State Drain Current
ID(ON)
VDS≧4.5V, VGS =5V
N-Ch
2
A
VDS≦-4.5V, VGS =-5V
P-Ch
-2
Diode Forward Voltage
VSD
IS=0.5A, VGS=0V
N-Ch
0.8
1.2
V
IS=-0.5A, VGS=0V
P-Ch
-0.8
-1.2
Forward Transconductance
gfs
VDS=10V, ID=1.2A
N-Ch
2.6
S
VDS=-10V, ID=-1.0A
P-Ch
1.5
Dynamic
Total Gate Charge
Qg
N-Channel
VDS=10V, VGS=4.5V,
ID≡1.2A
P-Channel
VDS=-10V, VGS=-4.5V,
ID≡-1.0A
N-Ch
1.2
2.0
nC
P-Ch
1.1
1.8
Gate-Source Charge
Qgs
N-Ch
0.2
P-Ch
0.3
Gate-Drain Charge
Qgd
N-Ch
0.3
P-Ch
0.2
Turn-On Time
td(on)
N-Channel
VDD=10V,RL=20Ω
ID=0.5A,
N-Ch
15
25
ns
P-Ch
18
30
tr
N-Ch
20
30



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