| データシートサーチシステム |
|
UF3N30L-TM3-R データシート(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UF3N30L-TM3-R データシート(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 3 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UF3N30 Preliminary Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 3 Copyright © 2012 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-826.a 3A, 300V N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The UTC UF3N30 is an N-channel enhancement mode Power MOSFET using UTC’ s advanced technology to provide customers with a minimum on-state resistance, low gate charge and superior switching performance. FEATURES * RDS(ON)<2Ω @ VGS=10V, ID=3A * High switching speed * Typically 4nC low gate charge * 100% avalanche tested SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Lead Free Halogen Free Package 1 2 3 Packing UF3N30L-TM3-R UF3N30G-TM3-R TO-251 G D S Tape Reel UF3N30L-TN3-R UF3N30G- TN3-R TO-252 G D S Tape Reel Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source |
同様の部品番号 - UF3N30L-TM3-R |
|
同様の説明 - UF3N30L-TM3-R |
|
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |