BC847B-G datasheet(2/5 Pages) COMCHIP

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Electrical Characteristics

(BC846A-G Thru. BC848C-G, @TA= 25 °C unless otherwise specified)

Comchip Technology CO., LTD.

Page 2

REV:B

Small Signal Transistor

QW-BTR31

BC846-G

Collector-Base Breakdown Voltage

BC848-G

BC846-G

Collector-Emitter Breakdown Voltage

BC848-G

Emitter-Base Break Voltage

Collector Cut-off Current

Collector-Emitter Saturation Voltage

UNIT

Symbol

Parameter

MIN

VCBO

VCEO

VEBO

ICBO

VCE(sat)

Cob

0.1

4.5

µA

Test Conditions

IC =10μA , IE=0

IC =10mA , IB=0

IE =10μA , IC=0

TYP

MAX

DC Current Gain

hFE

BC846A,BC847A,BC848A

BC846B,BC847B,BC848B

BC847C,BC848C

VCE =5V , IC=2mA

110

200

420

220

450

800

IC =100mA , IB=5mA

0.5

Base-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

IC =100mA , IB=5mA

1.1

Transition Frequency

MHZ

100

VCE=5V , IC=10mA

f=100MHZ

Collector Output Capacitance

VCB =10V , f=1MHZ

BC847-G

VCB=70V , IE=0

VCB=50V , IE=0

VCB=30V , IE=0

BC846-G

BC848-G

BC847-G

Collector Cut-off Current

ICEO

0.1

µA

VCB=60V , IE=0

VCB=45V , IE=0

VCB=30V , IE=0

BC846-G

BC848-G

BC847-G

IEBO

0.1

Emitter cut-off current

VEB=5V , IC=0

µA

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