HTB1-600 datasheet(2/6 Pages) SEMIHOW

部品番号	HTB1-600

部品情報	BI-DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR

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メーカー	SEMIHOW [SemiHow Co.,Ltd.]

ホームページ	http://www.semihow.com

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◎ SEMIHOW REV.1.0 Jan 2006

Electrical Characteristics (Ta=25℃)

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Units

1+, 1-, 3-

1.8

2.0

VGD

Non Trigger Gate

Voltage

0.2

(dv/dt)c

Critical Rate of Rise of

Off-State Voltage at

Communication

2.0

V/uS

HoldingCurrent

4.0

IDRM

Repetitive Peak Off-

State Current

0.5

VTM

Peak On-State Voltage

1.6

IGT

VD=6V, RL=10Ω

Gate Trigger Current

IT=6A, Inst, Measurement

VGT

Tj=125℃, VD=2/3VDRM

(di/dt)c=-0.5A/ms

VD=VDRM, Single Phase, Half Wave,

Tj=125℃

VD=6V, RL=10Ω

Gate Trigger Voltage

Test Conditions

Tj=125℃, VD=1/2VDRM

Thermal Characteristics

S ymbol

Parameter

Test Conditions

Min

Typ

Max

Units

RTH(j-c)

Thermal Resistance

Junction to Case

℃/ W

RTH(j-a)

Thermal Resistance

Junction to Ambient

120

℃/ W

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