| データシートサーチシステム |
|
UTT6NP10G-TN4-R データシート(PDF) 6 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTT6NP10G-TN4-R データシート(HTML) 6 Page - Unisonic Technologies |
|
6 / 7 page ![]() UTT6NP10 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 6 of 7 www.unisonic.com.tw QW-R502-772.D TYPICAL CHARACTERISTICS N-channel Drain Current vs. Drain-Source Breakdown Voltage Drain-Source Breakdown Voltage, BVDSS (V) 0.5 0 Drain Current vs. Gate Threshold Voltage Gate Threshold Voltage, VTH (V) 1.5 2 3 2.5 0 50 100 150 200 250 300 0 30 90 120 150 60 0 50 100 150 200 250 300 1 |
|
|
リンク URL |
| ALLDATASHEETはお客様のビジネスに役立ちますか? [ DONATE ] |
Alldatasheetは | 広告 | お問い合わせ | プライバシーポリシー | データシートへのリンク | リンク交換 | メーカーリスト All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |