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NDF653 データシート(PDF) 4 Page - Dynex Semiconductor |
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4 / 7 page ![]() NDF653 4/7 Fig.3 Recovered charge 1 10 100 1000 Rate of rise of reverse current dI R/dt - (A/µs) 10 1 100 1000 I RR QS t p = 1ms I F dI R/dt Q S = ∫ Conditions: T j = 125 ˚C, V R = 100V 50 µs 0 I FM = 500A I FM = 200A I FM = 100A Fig.2 Maximum (limit) forward characteristics 100 200 300 400 500 1.0 1.25 1.5 1.75 2.0 Instantaneous forward voltage V F - (V) Measured under pulse conditions T j = 125˚C T j = 25˚C |
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