FES8AT datasheet(2/2 Pages) GE

2 / 2 page

100

150

2.0

4.0

6.0

8.0

100

125

150

0.1

100

1,000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

0.1

1.0

020

100

0.01

0.1

100

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES FES8AT THRU FES8JT

FIG. 1 - MAXIMUM FORWARD CURRENT

DERATING CURVES

AMBIENT TEMPERATURE, °C

FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK

FORWARD SURGE CURRENT

NUMBER OF CYCLES AT 60 HZ

FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS

FORWARD CHARACTERISTICS

FIG. 4 - TYPICAL REVERSE LEAKAGE

CHARACTERISTICS

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,

VOLTS

PERCENT OF RATED PEAK REVERSE

VOLTAGE, %

FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

TC=100

°C

8.3ms SINGLE HALF SINE-WAVE

(JEDEC Method)

RESISTIVE OR

INDUCTIVE LOAD

FREE AIR, AMBIENT, TEMPERATURE TA

HEATSINK, CASE TEMPERATURE, TC

TJ=25°C

PULSE WIDTH=300

µs

1% DUTY CYCLE

TJ=125°C

50 - 200V

300 - 400V

500 - 600V

50 - 400V

500 - 600V

TJ=125°C

TJ=100°C

TJ=25°C

f=1.0 MHz

Vsig=50mVp-p

50-400V

500-600V

FES8AT データシート(PDF) 2 Page - General Semiconductor

FES8AT データシート(HTML) 2 Page - General Semiconductor

Html Pages

1 2

データシートダウンロード

リンク URL

FES8AT データシート(PDF) 2 Page - General Semiconductor

FES8AT データシート(HTML) 2 Page - General Semiconductor

Html Pages

1 2

データシート ダウンロード

リンク URL

データシートダウンロード