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2SC4160_2014 データシート(PDF) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

部品番号 2SC4160_2014
部品情報  Silicon NPN Power Transistors
PDF  3 Pages
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メーカー  JMNIC [Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.]
ホームページ  http://www.jmnic.com
Logo JMNIC - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

2SC4160_2014 データシート(HTML) 2 Page - Quanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

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Product Specification
www.jmnic.com
JMnic
Silicon NPN Power Transistors
2SC4160
CHARACTERISTICS
Tj=25℃ unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP.
MAX
UNIT
VCEO
Collector-emitter breakdown voltage
IC=5mA ; RBE=∞
400
V
VCBO
Collector-base breakdown voltage
IC=1mA ; IE=0
500
V
VEBO
Emitter-base breakdown voltage
IE=1mA ; IC=0
7
V
VCEsat
Collector-emitter saturation voltage
IC=2A ;IB=0.4A
0.8
V
VBEsat
Base-emitter saturation voltage
IC=2A ;IB=0.4A
1.5
V
ICBO
Collector cut-off current
VCB=400V; IE=0
10
μA
IEBO
Emitter cut-off current
VEB=5V; IC=0
10
μA
hFE-1
DC current gain
IC=0.4A ; VCE=5V
15
50
hFE-2
DC current gain
IC=2A ; VCE=5V
10
hFE-3
DC current gain
IC=10mA ; VCE=5V
10
COB
Output capacitance
IE=0; VCB=10V;f=1MHz
50
pF
fT
Transition frequency
IC=0.4A ; VCE=10V
20
MHz
Switching times
ton
Turn-on time
0.5
μs
ts
Storage time
2.5
μs
tf
Fall time
IC=3A; IB1=0.6A
IB2=-1.2A
VCC=200V ,RL=66.6Ω
0.3
μs
hFE-1 Classifications
L
M
N
15-30
20-40
30-50



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