S8050 datasheet(2/2 Pages) GSME

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桂林斯壯微電子有限責任公司

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.

S8050

■

ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性

(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)

Characteristic

特性參數

Symbol

符號

Test Condition

測試條件

Min.

最小值

Typ.

典型值

Max.

最大值

Unit

單位

Collector Cutoff Current

集電極截止電流

ICBO

VCB=30V,IE=0

—

0.1

Emitter Cutoff Current

發射極截止電流

IEBO

VEB=5V,IC=0

—

0.1

Collector-Base Breakdown Voltage

集電極

-基極擊穿電壓

V(BR)CBO

IC=100μA

—

Collector-Emitter Breakdown Voltage

集電極

-發射極擊穿電壓

V(BR)CEO

IC=10mA

—

Emitter-Base Breakdown Voltage

發射極

-基極擊穿電壓

V(BR)EBO

IE=100μA

—

DC Current Gain

直流電流增益

HFE(1)

VCE=1V,

IC=100mA

—

400

—

HFE(2)

VCE=1V,

Ic=500mA

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

集電極

-發射極飽和壓降

VCE(sat)

IC=500mA,

IB=50mA

—

0.6

Base-Emitter Saturation Voltage

基極

-發射極飽和壓降

VBE(sat)

IC=500mA,

IB=50mA

—

1.2

Base-Emitter Voltage

基極

-發射極電壓

VBE

VCE=1V,

IC=10mA

—

0.8

1.0

Transition Frequency

特徵頻率

VCE=5V,

IC=10mA

100

120

—

MHz

Collector Output Capacitance

輸出電容

Cob

VCB=10V,IE=0,

f=1MHz

—

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