STUD417L datasheet(1/8 Pages) SAMHOP

部品番号	STUD417L

部品情報	Super high dense cell design for low RDS(ON).

PDF	8 Pages

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メーカー	SAMHOP [SamHop Microelectronics Corp.]

ホームページ	http://www.samhop.com.tw

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S mHop Microelectronics C orp.

a

STU/D417L

PRODUCT SUMMARY

VDSS

ID

RDS(ON) (m

Ω) Max

-40V

-34A

26 @ VGS=-4.5V

16 @ VGS=-10V

FEATURES

Super high dense cell design for low RDS(ON).

Rugged and reliable.

Suface Mount Package.

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

www.samhop.com.tw

Aug,24,2012

1

Details are subject to change without notice.

G

S

STU SERIES

TO - 252AA( D- PAK )

G

S

D

STD SERIES

TO - 251( I - PAK )

Symbol

VDS

VGS

IDM

EAS

W

A

PD

°C

27

-55 to 150

ID

Units

Parameter

-40

-34

-103

V

±20

TC=25°C

Gate-Source Voltage

Drain-Source Voltage

THERMAL CHARACTERISTICS

mJ

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC=25°C unless otherwise noted)

Limit

Drain Current-Continuous

-Pulsed

a

A

Sigle Pulse Avalanche Energy c

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and Storage

Temperature Range

TJ, TSTG

50

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R JA

TC=25°C

3

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Case

R JC

A

TC=70°C

-27.2

TC=70°C

W

42

132

Gr

P

Pr

P

Ver 1.1

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