BFP136 datasheet(3/7 Pages) INFINEON

部品番号	BFP136

部品情報	NPN Silicon RF Transistor

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メーカー	INFINEON [Infineon Technologies AG]

ホームページ	http://www.infineon.com

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BFP136W

Jun-22-2001

Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified.

Parameter

Symbol

Values

Unit

min.

typ.

max.

AC characteristics (verified by random sampling)

Transition frequency

IC = 80 mA, VCE = 5 V, f = 500 MHz

5.5

GHz

Collector-base capacitance

VCB = 10 V, f = 1 MHz

Ccb

1.7

2.5

Collector-emitter capacitance

VCE = 10 V, f = 1 MHz

Cce

0.7

Emitter-base capacitance

VEB = 0.5 V, f = 1 MHz

Ceb

6.8

Noise figure

IC = 30 mA, VCE = 5 V, ZS = ZSopt ,

f = 900 MHz

f = 1.8 GHz

3.3

Power gain, maximum available 1)

IC = 80 mA, VCE = 5 V, ZS = ZSopt, ZL = ZLopt ,

f = 900 MHz

f = 1.8 GHz

Gma

15.5

9.5

Transducer gain

IC = 80 mA, VCE = 5 V, ZS = ZL = 50 ,

f = 900 MHz

f = 1.8 GHz

|S21e|2

Third order intercept point

IC = 80 mA, VCE = 5 V, ZS = ZSopt, ZL = ZLopt ,

f = 1.8 GHz

IP3

dBm

1Gma = |S21 / S12| (k-(k2-1)1/2)

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