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STB30NF20L データシート(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
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STB30NF20L データシート(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
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5 / 14 page ![]() STB30NF20L Electrical characteristics Doc ID 022753 Rev 2 5/14 Table 8. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current Source-drain current (pulsed) VSD=1.5 V - 30 120 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=30 A, VGS=0 -1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=30 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=100 V - 140 750 13 ns nC A trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=30 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=100 V, Tj=150 °C - 170 1.1 14 ns µC A |
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