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BZX2C データシート(PDF) 2 Page - Nanjing International Group Co

部品番号 BZX2C
部品情報  SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES
PDF  2 Pages
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メーカー  DGNJDZ [Nanjing International Group Co]
ホームページ  http://www.dgnjdz.com/
Logo DGNJDZ - Nanjing International Group Co

BZX2C データシート(HTML) 2 Page - Nanjing International Group Co

  BZX2C Datasheet HTML 1Page - Nanjing International Group Co BZX2C Datasheet HTML 2Page - Nanjing International Group Co  
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background image
BZX2C
Characteristics at Tj = 25 OC
Zener Voltage Range
1)
Maximum Dynamic Resistance
Maximum Reverse
Leakage Current
Type
VZnom (V)
VZT (V)
lZT (mA)
(Ω) at IZT
(Ω) at IZK IZK (mA)
IR (µA)
VR (V)
Maximum
DC Zener
Current
2)
IZM (mA)
BZX2C3V6
3.6
3.4...3.8
139
5
400
1
80
1
504
BZX2C3V9
3.9
3.7...4.1
128
5
400
1
30
1
468
BZX2C4V3
4.3
4...4.6
116
4.5
400
1
20
1
434
BZX2C4V7
4.7
4.4...5
106
4.5
550
1
5
1
386
BZX2C5V1
5.1
4.8...5.4
98
3.5
600
1
5
1
356
BZX2C5V6
5.6
5.2...6
89.5
2.5
650
1
5
2
324
BZX2C6V2
6.2
5.8...6.6
80.5
1.5
700
1
5
3
292
BZX2C6V8
6.8
6.4...7.2
73.5
2
700
1
5
4
266
BZX2C7V5
7.5
7...7.9
66.5
2
700
0.5
5
5
242
BZX2C8V2
8.2
7.7...8.7
61
2.3
700
0.5
5
6
220
BZX2C9V1
9.1
8.5...9.6
55
2.5
700
0.5
2
7
200
BZX2C10
10
9.4...10.6
50
3.5
700
0.25
3
7.6
182
BZX2C11
11
10.4...11.6
45.5
4
700
0.25
1
8.4
166
BZX2C12
12
11.4...12.7
41.5
4.5
700
0.25
1
9.1
152
BZX2C13
13
12.4...14.1
38.5
5
700
0.25
0.5
9.9
138
BZX2C15
15
13.8...15.6
33.4
7
700
0.25
0.5
11.4
122
BZX2C16
16
15.3...17.1
31.2
8
700
0.25
0.5
12.2
114
BZX2C18
18
16.8...19.1
27.8
10
750
0.25
0.5
13.7
100
BZX2C20
20
18.8...21.2
25
11
750
0.25
0.5
15.2
90
BZX2C22
22
20.8...23.3
22.8
12
750
0.25
0.5
16.7
82
BZX2C24
24
22.8...25.6
20.8
13
750
0.25
0.5
18.2
76
BZX2C27
27
25.1...28.9
18.5
18
750
0.25
0.5
20.6
68
BZX2C30
30
28...32
16.6
20
1000
0.25
0.5
22.5
60
BZX2C33
33
31...35
15.1
23
1000
0.25
0.5
25.1
55
BZX2C36
36
34...38
13.9
25
1000
0.25
0.5
27.4
50
BZX2C39
39
37...41
12.8
30
1000
0.25
0.5
29.7
47
BZX2C43
43
40...46
11.6
35
1500
0.25
0.5
32.7
43
1) Tested with pulses tp = 20 ms.
2) Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 8 mm from case.
Power Dissipation (W) - Versus - Temperature( C)
Tamb ( C)
100
0.5
0
0
75
50
25
1
1.5
2
175
150
125



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