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2SD858 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD858 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA; IB= 0 60 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 1.5 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 3A; VCE= 4V 1.6 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 30V; IB= 0 700 μ A ICES Collector Cutoff Current VCE= 60V; VBE= 0 400 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 1 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 4V 40 250 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A; VCE= 4V 20 Switching Times ton Turn-On Time IC= 6A; IB1= -IB2= 0.6A 0.2 μ s toff Turn-Off Time 1.4 μ s hFE-1 Classifications R Q P 40-90 70-150 120-250 |
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