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4N80 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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4N80 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor 4N80 ·ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYPE MAX UNIT V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS= 0; ID= 250µA 800 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS; ID=250µA 3.0 5.0 V VSD Diode Forward On-Voltage IF=4A ;VGS= 0 1.4 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=2.0A 3.5 Ω IGSS Gate-Body Leakage Current VGS= ±30V;VDS= 0 ±100 nA IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 800V; VGS= 0 25 µA Ciss Input Capacitance VDS=25V; VGS=0V; fT=1MHz 880 1140 pF Crss Reverse Transfer Capacitance 35 42 Coss Output Capacitance 90 105 tr Rise Time VGS=10V; ID=4.5A; VDD=400V; RG=13.6Ω 32 145 ns td(on) Turn-on Delay Time 19 75 tf Fall Time 32 75 td(off) Turn-off Delay Time 67 145 PDF pdfFactory Pro www.fineprint.cn |
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