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2SA1837 データシート(PDF) 1 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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2SA1837 データシート(HTML) 1 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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1 / 4 page  R 201312B 1 /4 PNP PNP Epitaxial Silicon Transistor NPN 2SA1837 Order codes Marking Halogen Free Package Packaging 2SA1837-O-MF-N-B 2SA1837 NO TO-220MF Tube ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃ unless otherwise noted) THERMAL CHARACTERISTIC Parameter Symbo min max Unit Thermal Resistance Junction Ambient TO-220MF Rth(j-a) - 62.5 /W Thermal Resistance Junction Case TO-220MF Rth(j-c) - 6.25 /W Parameter Symbol Value Unit — Collector- Emitter Voltage VCBO -230 V — Collector- Emitter Voltage IB=0 VCEO -230 V — Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current DC IC -1 A Base Current IB -0.1 A Collector Dissipation(Ta=25 ) 2.0 W Collector Dissipation(Tc=25 ) PC 20 W Junction Temperature Tj 150 Storage Temperature Tstg -55~+150 Package TO-220MF ORDER MESSAGE APPLICATIONS Power Amplifier Applications VCEO=-230V (min) 2SC4793 fT=70MHz(Typ.) RoHS FEATURES High collector voltage VCEO=-230V (min) Complementary to 2SC4793 High transition frequency :fT=70MHz(Typ.) RoHS product |
同様の部品番号 - 2SA1837 |
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同様の説明 - 2SA1837 |
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