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JCS8N60C データシート(PDF) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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JCS8N60C データシート(HTML) 3 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. |
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3 / 14 page  R JCS8N60C 版本：201503A 3/14 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项 目 Parameter 符 号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage BVDSS ID=250μA, VGS=0V 600 - - V 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient ΔBV DSS/Δ TJ ID=250μA, referenced to 25℃ - 0.65 - V/℃ 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=600V,VGS=0V, TC=25℃ - - 10 μA VDS=480V, TC=125℃ - - 100 μA 正向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, forward IGSSF VDS=0V, VGS =30V - - 100 nA 反向栅极体漏电流 Gate-body leakage current, reverse IGSSR VDS=0V, VGS =-30V - - -100 nA 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID=250μA 2.0 - 4.0 V 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =10V , ID=3.5A - 1.26 1.6 Ω 正向跨导 Forward Transconductance gfs VDS = 40V, ID=3.5A（note 4） - 5.6 - S 动态特性 Dynamic Characteristics 输入电容 Input capacitance Ciss VDS=25V, VGS =0V, f=1.0MHZ - 1620 1890 pF 输出电容 Output capacitance Coss - 125 170 pF 反向传输电容 Reverse transfer capacitance Crss - 14 20 pF |
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