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JCS75N75F データシート(PDF) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

部品番号 JCS75N75F
部品情報  High efficiency switching DC/DC converters and
PDF  11 Pages
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メーカー  JSMC [JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.]
ホームページ  http://www.hwdz.com.cn
Logo JSMC - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

JCS75N75F データシート(HTML) 4 Page - JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

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background image
R
JCS75N75F
版本：201504B
4/11
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
t
B
d
B
(on)
V
B
DD
B
=38V,I
B
D
B
=40A,R
B
G
B
=25Ω
（
note 4，5）
-
16
ns
上升时间
Turn-On rise time
t
B
r
B
-
54
ns
延迟时间
Turn-Off delay time
t
B
d
B
(off)
-
55
ns
下降时间
Turn-Off Fall time
t
B
f
B
-
35
ns
栅极电荷总量
Total Gate Charge
Q
B
g
B
V
B
DS
B
=30V ,
I
B
D
B
=40A
V
B
GS
B
=10V
（
note 4，5）
-
74
nC
栅－源电荷
Gate-Source charge
Q
B
gs
B
-
17
-
nC
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
Q
B
gd
B
-
22
-
nC
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
I
B
S
B
-
-
75
A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
I
B
SM
B
-
-
300
A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
V
B
SD
B
V
B
GS
B
=0V,
I
B
S
B
=75A
-
-
1.4
V
反向恢复时间
Reverse recovery time
t
B
rr
B
V
B
GS
B
=0V, I
B
S
B
=40A
dI
B
F
B
/dt=100A/μs
(note 4)
-
88
-
ns
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Q
B
rr
BBB
-
233
-
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
Parameter
符
号
Symbol
最大
Max
单 位
Unit
JCS75N75CF/SF JCS75N75FF
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.60
3.41
℃
/W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5
℃
/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=10mH, I
B
AS
B
=15A, R
B
G
B
=25 Ω,起始结温T
B
J
B
=25℃
3：I
B
SD
B
≤100A,di/dt ≤100A/μs,VDD≤BV
B
DSS
B
,起始结温
T
B
J
B
=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction temperature
2：L=10mH, I
B
AS
B
=15A, R
B
G
B
=25 Ω,Starting T
B
J
B
=25℃
3：I
B
SD
B
≤100A,di/dt ≤100A/μs,VDD≤BV
B
DSS
B
, Starting T
B
J
B
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature



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