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D45C11 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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D45C11 データシート(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification 2 isc website:www.iscsemi.cn isc Silicon PNP Power Transistors D45C11 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -1A ;IB= -50mA -0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= -1A ;IB= -100mA -1.3 V ICES Collector Cutoff Current VCE= -90V, VBE= 0 -10 μA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= -5V; IC= 0 -100 μA hFE-1 DC Current Gain IC= -0.2A; VCE= -1V 40 120 hFE-2 DC Current Gain IC= -1A; VCE= -1V 20 fT Current-Gain—Bandwidth Product IC= -20mA;VCE= -4V;ftest= 1MHz 40 MHz Switching Times tr Rise Time IC= -1A; IB1= -IB2= -0.1A; VCC= -20V 0.2 μs ts Storage Time 0.6 μs tf Fall Time 0.3 μs |
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