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BDS16 データシート(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
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2 / 2 page ![]() NCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor BDS16 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA ;IB= 0 120 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 0.4A 1.5 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 0.5A; IB= 0.05A 0.4 V ICBO Collector Cutoff Current VCE= 120V; VBE= 0 0.02 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 60V; VBE= 0 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC=0 0.01 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 0.5A; VCE= 2V 40 250 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A; VCE= 2V 15 150 fT Current-Gain —Bandwidth Product IC= 0.5A ; VCE= 10V 30 MHz |
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